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MT47H256M8EB-25E IT:C

更新時間:2025-05-19 17:55:49

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
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說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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原裝假一賠十百之百庫存

上海熠富電子科技有限公司
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深圳市宏浦電子有限公司
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利好科技（深圳）有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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回收此型號MT47H256M8EB-25E ITC

深圳市金華微盛電子有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市特萊科技有限公司
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MT47H256M8EB-25E IT:C外觀圖

MT47H256M8EB-25E IT:C

Micron Technology Inc 存儲器

IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 60FBGA

封裝:60-TFBGA

MT47H256M8EB-25E IT:C 概述

這是美光科技(Micron Technology)生產(chǎn)的DDR2 SDRAM內(nèi)存芯片。該芯片具有256Mx8位的存儲容量，總存儲量為2Gb。它采用FBGA封裝形式，工作電壓為1.8V，適用于需要高速數(shù)據(jù)讀寫的應用場景。典型應用場景包括個人計算機、服務器、工作站以及網(wǎng)絡通信設備等需要大容量高速緩存或主存儲器的場合。其高速運行頻率和低功耗特性使其成為高性能計算平臺的理想選擇。在實際應用中應注意遵循正確的信號完整性設計原則，確保地址、控制及數(shù)據(jù)線具備良好的匹配與去耦處理。此外還需注意電源管理設計以保證穩(wěn)定供電，防止因電壓波動導致的數(shù)據(jù)錯誤。推薦使用美光提供的參考設計指南進行PCB布局布線，以達到最佳性能表現(xiàn)。

MT47H256M8EB-25E IT:C 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
集成電路 (IC)
家庭
存儲器
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
DDR2 SDRAM
存儲容量
2G（256M x 8）
速度
2.5ns
接口
并聯(lián)
電源電壓
1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度
-40°C ~ 95°C
封裝/外殼
60-TFBGA
供應商設備封裝
60-FBGA（9x11.5）
包裝
托盤

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MT47H256M8EB-25E IT:C相關型號

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MT47H256M8EB-25E IT:C
MT47H128M16
MT47H128M16HG
MT47H128M16HG-25
MT47H128M16HG-25:A
MT47H128M16HG-25E
MT47H128M16HG-3
MPSA42

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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