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MRF5812R1

更新時間:2025-06-11 06:38:04

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市正納電子有限公司
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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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官網可查icscjh.com

深圳市萬佳電子貿易有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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原裝，原廠渠道，十年BOM配單專家

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深圳市萊克訊科技有限公司
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原包裝正品渠道現(xiàn)貨庫存

藍界科技（深圳）有限公司
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MRF5812R1 概述

MRF5812R1是NXP Semiconductors生產的一款LDMOS射頻功率晶體管。它專為高頻應用設計，工作頻率范圍可達30 MHz至1200 MHz。該器件適用于廣播、無線通信基礎設施等領域，如調頻廣播和電視發(fā)射機等場景。此晶體管在推挽配置下可提供高達120W的輸出功率，在單端配置下則能實現(xiàn)60W的輸出功率。它具備高增益特性，有助于簡化放大器設計中的級聯(lián)需求。在使用時，需注意合理的散熱設計以保證其穩(wěn)定運行。例如，在設計射頻功率放大器電路時，要確保有足夠的散熱片或冷卻系統(tǒng)，并且對輸入輸出匹配網絡進行精確設計，以達到最佳性能表現(xiàn)。同時，電源去耦電容的選擇與布局也相當重要，以避免不必要的干擾和損耗。

MRF5812R1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
停產
晶體管類型
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
15V
頻率 - 躍遷
5GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）
2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值
1.25W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）
50 @ 50mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
200mA
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝
8-SO

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