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MMBF170LT1

更新時間:2025-07-04 02:24:29

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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原裝有現(xiàn)貨實單可談

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深圳市芯福林電子科技有限公司
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565
ON/安森美
04+/SOT23
原裝現(xiàn)貨力挺實單

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MMBF170LT1外觀圖

MMBF170LT1

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MMBF170LT1 概述

MMBF170LT1是由安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達0.8A。此MOSFET常用于電源管理電路、DC-DC轉換器、負載開關等場景。在便攜式設備中，如智能手機和平板電腦，它能夠有效提升能效并減小尺寸。由于其柵極電荷較低，因此在驅動電路設計時可以減少驅動損耗，提高整體系統(tǒng)效率。在實際應用中，建議關注其最大功率耗散能力，確保散熱設計合理以避免過熱損壞。在PCB布局時，盡量縮短源極和漏極引腳的走線長度，以減少寄生電感影響開關性能。

MMBF170LT1 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
500mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5 歐姆 @ 200mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
60pF @ 10V
功率 - 最大
225mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MMBF170LT1OSTR

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