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MJE170G

更新時間:2025-05-15 20:11:24

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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NR
NR/2017+
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藍界科技（深圳）有限公司
MJE170G
10125
ONSemicon
TO2253/18+
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MJE170G外觀圖

MJE170G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS POWER PNP 3A 40V TO225AA

封裝:TO-225AA，TO-126-3

MJE170G 概述

MJE170G是ON Semiconductor公司生產(chǎn)的一款NPN功率晶體管，采用TO-225AA封裝，適用于中等功率應(yīng)用。該晶體管具有高電流增益和低飽和電壓特性，最大集電極電流IC可達1.5A，集電極-發(fā)射極擊穿電壓VCEO為80V，適用于各種開關(guān)和放大電路。典型應(yīng)用場景包括電源管理、電動工具控制、照明驅(qū)動器以及消費類電子設(shè)備中的信號放大與處理。由于其較高的耐壓能力和良好的熱穩(wěn)定性，在工業(yè)自動化領(lǐng)域也常用于驅(qū)動繼電器或電磁閥等負載。使用時需注意散熱設(shè)計以確保長期可靠工作，建議在PCB布局時給予足夠的銅箔面積作為散熱片。如果應(yīng)用于高頻開關(guān)電路，需關(guān)注寄生電容對電路性能的影響，并進行適當補償。

MJE170G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
3A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
40V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.7V @ 600mA，3A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
50 @ 100mA，1V
功率 - 最大
12.5W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
50MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-225AA，TO-126-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO225AA
包裝
散裝
其它名稱
MJE170GOS

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MJE170G
MJE1090
MJE1100
MJE1101
MJE1102
MJE1103
MJE11032
MMBD914

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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