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MJD5731T4G

更新時間:2025-06-28 07:05:35

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MJD5731T4G外觀圖

MJD5731T4G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS POWER PNP 1A 350V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD5731T4G 概述

MJD5731T4G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款高壓大電流達林頓晶體管，采用TO-263封裝形式。該器件集成了兩個NPN型晶體管，具有高電流增益特性，最大集電極-發(fā)射極電壓可達80V，適合驅動較大功率的負載。在實際應用中，它常被用于開關電源、電機驅動以及繼電器驅動等場合。例如，在電機控制電路里，可用作功率放大元件來增強信號強度從而有效驅動電機運行。使用時應注意散熱設計以保證工作穩(wěn)定性，同時需確保輸入信號不超過其最大允許值以免損壞器件。對于需要較大輸出電流的應用場景，此款達林頓管是一個不錯的選擇。不過，由于其內部存在兩個晶體管級聯(lián)結構，飽和壓降相對較高，因此在效率要求較高的場合應謹慎選用。

MJD5731T4G 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
1A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
350V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1V @ 200mA，1A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
30 @ 300mA，10V
功率 - 最大
1.56W
頻率 - 轉換
10MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MJD5731T4G-NDMJD5731T4GOSTR

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