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MJD45H11RL

更新時間:2025-06-13 03:04:29

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MJD45H11RL 概述

MJD45H11RL是ON Semiconductor生產的一款達林頓晶體管，采用TO-251封裝形式。該器件具有高電流增益特性，適用于需要高增益放大和功率控制的場合。其集電極-發(fā)射極電壓可達80V，可滿足大部分低壓電路需求。此款晶體管常用于驅動繼電器、燈泡等感性負載，在工業(yè)自動化控制系統中發(fā)揮重要作用。也適合用于音頻放大器輸出級以增強信號驅動能力。在實際應用時需注意散熱設計，因為大電流工作狀態(tài)下會產生較多熱量。建議搭配適當散熱器使用，并確保良好通風環(huán)境以維持穩(wěn)定工作溫度。在電路設計上，基極電阻的選擇要合適，以防止輸入電流過大損壞器件。

MJD45H11RL 規(guī)格參數

制造商
ON Semiconductor
產品種類
Transistors Bipolar (BJT)
晶體管極性
PNP
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
5 V
最大直流電集電極電流
8 A
配置
Single
最大工作頻率
90 MHz
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252-3 (DPAK)
封裝
Reel
集電極連續(xù)電流
8 A
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
20 W
工廠包裝數量
1800

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