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MJD44H11G

更新時間:2025-06-11 20:21:44

供應商
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MJD44H11G外觀圖

MJD44H11G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS POWER NPN 8A 80V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD44H11G 概述

MJD44H11G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款高性能NPN功率晶體管。該器件采用TO-251封裝，適用于需要高電流和高電壓的應用場景。其集電極-發(fā)射極擊穿電壓為80V，在室溫下最大集電極電流可達3A。此晶體管常用于電源管理、電機驅動、繼電器驅動以及工業(yè)控制系統(tǒng)中。它具有較高的電流增益，能有效降低驅動電路的復雜度。在電源轉換器應用中，可作為開關元件使用；在電機驅動電路中，可用于控制電機的啟停與轉速調節(jié)。使用時應注意散熱設計，確保安全工作區(qū)(SOA)要求得到滿足。建議在PCB布局時留出足夠的銅箔面積幫助散熱，并合理選擇基極電阻值以獲得最佳的工作點。根據(jù)具體應用環(huán)境的不同，可能還需要添加適當?shù)谋Ｗo電路來防止過壓或過流損壞。

MJD44H11G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
8A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
80V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1V @ 400mA，8A
電流 - 集電極截止（最大）
1µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
40 @ 4A，1V
功率 - 最大
1.75W
頻率 - 轉換
85MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
管件
其它名稱
MJD44H11G-NDMJD44H11GOS

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MC34119

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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