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MJD42C1G

更新時間:2025-07-05 17:36:04

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ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS POWER PNP 6A 100V IPAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

MJD42C1G 概述

MJD42C1G是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的NPN型達(dá)林頓晶體管。該晶體管具有高電流增益和大集電極-發(fā)射極擊穿電壓，采用TO-220封裝，利于散熱設(shè)計。此晶體管適用于需要較高電流放大倍數(shù)的場合，典型應(yīng)用包括繼電器驅(qū)動、燈控開關(guān)電路以及工業(yè)控制設(shè)備中。其最大集電極電流可達(dá)5A，在30V集電極-發(fā)射極電壓下仍能穩(wěn)定工作。由于內(nèi)部集成達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，可直接與數(shù)字邏輯電路接口連接，簡化外圍電路設(shè)計。使用時需注意散熱設(shè)計，確保在大功率應(yīng)用下器件溫度處于安全范圍。建議查閱官方數(shù)據(jù)手冊以獲取完整電氣參數(shù)和推薦工作條件。

MJD42C1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
75
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
6A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.5V @ 600mA，6A
電流 - 集電極截止（最大）
50µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
15 @ 3A，4V
功率 - 最大
1.75W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
3MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
I-Pak
包裝
管件

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