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MJD41CRLG

更新時間:2025-06-14 01:57:31

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
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封裝/批號
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MJD41CRLG外觀圖

MJD41CRLG

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS POWER NPN 6A 100V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD41CRLG 概述

M1CRLG是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的達林頓晶體管，采用TO-220封裝。該器件集成了兩個NPN晶體管以形成達林頓對，具有高電流增益特性，最大集電極-發(fā)射極電壓為80V，適合需要較高電流放大能力的應(yīng)用場合。此款晶體管常用于驅(qū)動繼電器、電機和其他大功率負載。在工業(yè)控制領(lǐng)域中，它可用于開關(guān)電源電路、馬達速度控制器以及信號放大器等設(shè)備里作為功率放大元件。其較高的hFE值使得它在處理弱信號并要求輸出較大電流時表現(xiàn)出色。然而，在使用過程中需要注意散熱設(shè)計，因為達林頓結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致更大的飽和壓降，從而產(chǎn)生更多熱量。建議搭配適當?shù)纳崞褂?，并確保工作環(huán)境溫度符合規(guī)定范圍。

MJD41CRLG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,800
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
6A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.5V @ 600mA，6A
電流 - 集電極截止（最大）
50µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
15 @ 3A，4V
功率 - 最大
1.75W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
3MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MJD41CRLG-NDMJD41CRLGOSTR

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