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MJ11012G

更新時間:2025-07-13 03:27:32

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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MJ11012G外觀圖

MJ11012G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS DARL NPN 30A 60V TO-3

封裝:TO-204AA，TO-3

MJ11012G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
100
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN - 達林頓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
30A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
60V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
4V @ 300mA，30A
電流 - 集電極截止（最大）
1mA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
1000 @ 20A，5V
功率 - 最大
200W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
4MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-204AA，TO-3
供應商設備封裝
TO-3
包裝
托盤
其它名稱
MJ11012G-NDMJ11012GOS

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