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MCU09N20-TP

更新時間:2025-06-11 15:42:03

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MCU09N20-TP 概述

MCU09N20-TP是無錫新潔能公司生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。它采用先進的溝槽工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。該器件常用于DC - DC轉換器、電池充電器以及電機驅動等場景。在電路設計中，由于其低柵極電荷，能夠實現(xiàn)高效快速的開關操作，有助于提高整體系統(tǒng)效率并減少熱損耗。使用時需注意柵極電壓的穩(wěn)定性以確保可靠導通與關斷，并且在高頻率應用場合要合理布局走線，減小寄生參數(shù)影響。

MCU09N20-TP 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
散裝
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
9A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
250 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
11.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
509 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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