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MC33153DR2

更新時間:2025-06-17 06:25:26

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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市龍勝微科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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進品原裝，現(xiàn)貨庫存可開17%增值票

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深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，可提供訂貨服務

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市科鑫美電子有限公司
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深圳市佳鑫美電子科技有限公司
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深圳市企諾德電子有限公司
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MC33153DR2外觀圖

MC33153DR2

ON Semiconductor PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關

IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

MC33153DR2 概述

MC33153DR2是安森美半導體生產(chǎn)的一款高性能汽車級柵極驅(qū)動器IC，專為控制功率MOSFET和IGBT而設計。該器件支持高達60V的工作電壓，并具備低輸出阻抗特性，可確保高效快速地開關功率器件。其內(nèi)置的欠壓鎖定(UVLO)功能能夠防止在電源電壓不足時誤操作，保障系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行。此外，它還集成了過溫保護和死區(qū)時間控制電路，有效避免直通電流現(xiàn)象的發(fā)生，在電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等汽車電子應用中表現(xiàn)出色。使用時需注意外圍元件的選擇以確?？煽坑|發(fā)并抑制噪聲干擾。

MC33153DR2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
集成電路 (IC)
家庭
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關
系列
-
配置
低端
輸入類型
反相
延遲時間
80ns
電流 - 峰
1A
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
1
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
-
電源電壓
11.7 V ~ 20 V
工作溫度
-40°C ~ 105°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MC33153DR2OSTR

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