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MC33152DR2G

更新時間:2025-07-05 18:02:44

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市宏世佳電子科技有限公司
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一級代理進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理

杭州芯易購科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，量大可議

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MC33152DR2G外觀圖

MC33152DR2G

ON Semiconductor PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)

IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

MC33152DR2G 概述

MC33152DR2G是由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款高性能雙路MOSFET驅(qū)動器。該器件專為高效驅(qū)動功率MOSFET而設(shè)計，廣泛應(yīng)用于電機控制、電源管理和逆變器系統(tǒng)中。其具有快速開關(guān)速度和低傳播延遲特性，可確保在高頻應(yīng)用中的高效率性能。該驅(qū)動器支持高達60V的工作電壓，并具備獨立的輸入和輸出引腳，便于靈活配置。內(nèi)部集成了欠壓鎖定（UVLO）保護功能，當電源電壓低于設(shè)定閾值時會自動關(guān)閉輸出，以防止損壞外部MOSFET。此外，還提供了過溫保護機制，進一步增強了系統(tǒng)的可靠性。在實際應(yīng)用中，MC33152DR2G常用于三相無刷直流電機驅(qū)動器、H橋電路以及同步整流電路等場景。使用時需注意PCB布局合理性，盡量減小寄生電感和電容的影響，以充分發(fā)揮其高速開關(guān)優(yōu)勢。同時，外圍元件的選擇也至關(guān)重要，特別是自舉電容和二極管，應(yīng)根據(jù)具體工作條件進行優(yōu)化配置。

MC33152DR2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
集成電路 (IC)
家庭
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
系列
-
配置
低端
輸入類型
非反相
延遲時間
55ns
電流 - 峰
1.5A
配置數(shù)
2
輸出數(shù)
2
高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）
-
電源電壓
6.1 V ~ 18 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MC33152DR2GOSMC33152DR2GOS-NDMC33152DR2GOSTR

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