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MBT6429DW1T1G

更新時間:2025-06-15 12:06:31

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MBT6429DW1T1G外觀圖

MBT6429DW1T1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 陣列

TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

MBT6429DW1T1G 概述

MBT6429DW1T1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款雙NPN晶體管對，采用表面貼裝封裝。每個晶體管具有獨立的發(fā)射極、基極和集電極引腳，適用于需要兩個匹配晶體管的應用場景。其最大集電極-發(fā)射極電壓為40V，集電極電流能力達到500mA，適用于信號放大、開關電路以及模擬電路設計。該器件在音頻放大器、驅(qū)動電路以及電源管理模塊中表現(xiàn)出色。由于兩個晶體管是在同一芯片上制造，因此它們具有良好的溫度系數(shù)匹配特性，有助于提高電路性能和穩(wěn)定性。封裝形式為SOT-363，尺寸小巧，適合高密度PCB布局。在實際應用中應注意合理選擇基極電阻以確保合適的靜態(tài)工作點，并避免超過最大功耗限制以保證長期可靠性。

MBT6429DW1T1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 陣列
系列
-
晶體管類型
2 NPN（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
45V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
600mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大）
100nA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
500 @ 100µA，5V
功率 - 最大
150mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換
700MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MBT6429DW1T1G-NDMBT6429DW1T1GOSTR

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MBT6429DW1T1G
MBR0540

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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