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J112

更新時間:2025-07-07 08:19:58

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市金科創(chuàng)世紀(jì)電子有限公司
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武漢力源信息技術(shù)股份有限公司
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深圳市華諦誠電子有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限
J112
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PHILIPS
TO92/-
一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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J112外觀圖

J112

Fairchild Semiconductor JFET（結(jié)點場效應(yīng)

IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92

封裝:TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

J112 概述

J112是Diodes Incorporated生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET，采用SOT-23封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于便攜式電子設(shè)備中電源管理應(yīng)用。其最大漏極-源極電壓為-20V，適合在低壓電路環(huán)境中使用。典型應(yīng)用場景包括負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路以及DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流管。在實際應(yīng)用中，J112可以有效降低系統(tǒng)功耗，提高效率。設(shè)計時應(yīng)注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，以確保MOSFET完全導(dǎo)通。例如，在一個簡單的負(fù)載開關(guān)電路中，可以通過微控制器的GPIO引腳來控制J112的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)，實現(xiàn)對外部負(fù)載的精確控制。此外，由于其封裝尺寸較小，非常適合空間受限的設(shè)計需求。

J112 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
JFET（結(jié)點場效應(yīng)
系列
-
電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)
5mA @ 15V
漏極至源極電壓(Vdss)
-
漏極電流 (Id) - 最大
-
FET 型
N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
35V
電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id
1V @ 1µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
電阻 - RDS（開）
50 歐姆
安裝類型
通孔
包裝
散裝
封裝/外殼
TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-92-3
功率 - 最大
625mW
其它名稱
J112FS

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J112_D26Z
J112G
J112RLRAG
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