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IXYH120N65C3

更新時間:2025-05-19 21:12:07

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IXYH120N65C3 概述

IXYH120N65C3是由IXYS公司生產的高性能功率MOSFET。該型號采用先進的Trench技術，具有極低的導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等高效能電力電子應用。此器件的最大漏源電壓(VDS)為650V，連續(xù)漏極電流(ID)可達120A，確保了在高功率應用場景下的可靠性與穩(wěn)定性。它還具備低柵極電荷(Qg)，有助于減少開關損耗，提高整體系統(tǒng)效率。由于其卓越的熱性能和電氣特性，特別適合用于工業(yè)級和商業(yè)級設備中需要高效能量轉換的部分。在設計時應注意合理的PCB布局以優(yōu)化散熱，并遵循制造商推薦的柵極驅動電路參數，確保可靠工作。

IXYH120N65C3 規(guī)格參數

現(xiàn)有數量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
XPT?, GenX3?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
260 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
620 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2.8V @ 15V，100A
功率 - 最大值
1360 W
開關能量
1.25mJ（開），500μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
265 nC
25°C 時 Td（開/關）值
28ns/127ns
測試條件
400V，50A，2 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
29 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247（IXYH）

芯知識

2.1萬

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廣東微爾科技有限公司

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