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IXTY2N65X2

更新時間:2025-05-28 22:26:35

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IXTY2N65X2 概述

IXTY2N65X2是IXYS公司生產的一款高性能高壓MOSFET。它采用先進的溝槽技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，能夠有效降低開關損耗。該型號的最大漏源電壓(VDS)為650V，連續(xù)漏極電流(ID)為2A，在高溫條件下仍能保持穩(wěn)定性能。其典型應用包括開關電源、照明系統(tǒng)中的LED驅動器、消費類電子產品的電源轉換器以及工業(yè)設備中的高壓開關電路。由于其緊湊的封裝形式和卓越的電氣特性，特別適合對效率和尺寸有較高要求的應用場合。在實際使用時需注意合理的散熱設計以確保器件長期可靠工作。

IXTY2N65X2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
11現(xiàn)貨
系列
Ultra X2
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.3 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
4.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
180 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
55W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252AA
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

芯知識

2.1萬

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廣東微爾科技有限公司

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