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IXTT80N20L

更新時間:2025-05-29 03:13:35

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IXTT80N20L 概述

IXTT80N20L是由IXYS公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力，典型Rds(on)值在10V柵極電壓下為0.017歐姆。其最大漏源電壓額定值為200V，連續(xù)漏極電流可達80A，適合用于高效功率轉(zhuǎn)換與控制應用。常見應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關(guān)模式電源（SMPS）、電機驅(qū)動器以及各類工業(yè)電源管理系統(tǒng)。在實際應用中，應確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的電壓以充分開啟MOSFET，并且注意散熱設計，推薦使用適當?shù)纳崞骰蚶鋮s系統(tǒng)來維持穩(wěn)定工作溫度。對于高頻應用，還需優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感和電容的影響。

IXTT80N20L 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
655現(xiàn)貨
系列
Linear
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
80A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
32 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
6160 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
520W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-268AA
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

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廣東微爾科技有限公司

IXTT80N20L相關(guān)型號

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IXTT16N20D2
IRF540NPBF

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