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IXTT16N50D2

更新時間:2025-05-28 22:31:06

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IXTT16N50D2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXTT16N50D2 概述

IXTT16N50D2是IXYS公司生產的一款高性能N溝道MOSFET，適用于高頻開關電源和DC-DC轉換器等應用。該器件采用先進的TrenchFET技術，具有低導通電阻和快速開關特性，能夠顯著降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。在電源管理領域，IXTT16N50D2常用于同步整流電路、電機驅動以及不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達16A，非常適合需要高耐壓和大電流能力的應用場景。使用時需注意散熱設計，建議采用適當的散熱器或冷卻措施以確保器件工作在安全溫度范圍內。在電路設計中，柵極驅動電路的設計至關重要，應確保驅動信號足夠強且穩(wěn)定，以實現最佳的開關性能。此外，在PCB布局時應盡量減小寄生電感，避免影響開關速度和EMI性能。

IXTT16N50D2 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
16A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫歐 @ 8A，0V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
-
閘電荷(Qg) @ Vgs
199nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5250pF @ 25V
功率 - 最大
695W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝
TO-268
包裝
管件

芯知識

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