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IXTT120N15P

更新時間:2025-05-29 00:24:40

供應商
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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IXTT120N15P外觀圖

IXTT120N15P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 150V 120A TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXTT120N15P 概述

IXTT120N15P是IXYS公司生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高效功率轉換應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）可達150V，在柵極驅動電壓為10V時，典型導通電阻僅為0.026歐姆，能夠承受高達120A的連續(xù)漏極電流。這種MOSFET適用于工業(yè)電源、電機驅動、不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器等需要高效率和高性能開關元件的應用場景。在實際使用中，建議確保柵極驅動電路穩(wěn)定可靠，以避免誤觸發(fā)或損壞MOSFET；同時注意散熱設計，以維持工作溫度在安全范圍內。對于高頻應用，還需優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感和電容的影響。

IXTT120N15P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHT™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
150nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4900pF @ 25V
功率 - 最大
600W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝
TO-268
包裝
管件

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IXTT12N150
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IRF630N

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