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IXTQ180N055T

更新時間:2025-05-18 02:19:11

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IXTQ180N055T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

IXTQ180N055T 概述

IXTQ180N055T是由IXYS公司生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件專為高效功率轉換應用設計，具備低導通電阻和高電流承載能力。其最大漏極-源極電壓（Vds）為55V，適用于中低壓應用場景。典型的應用包括電源管理、DC-DC轉換器、電機驅動以及電池管理系統(tǒng)。在電源管理電路中，IXTQ180N055T能夠有效降低開關損耗，提高整體系統(tǒng)效率。由于其低柵極電荷特性，可以實現(xiàn)快速開關操作，減少死區(qū)時間。建議在使用時注意PCB布局優(yōu)化，以減小寄生電感對高頻開關性能的影響。對于電機驅動應用，需確保散熱設計合理，避免過熱導致的性能下降或損壞。根據(jù)具體需求選擇合適的柵極驅動電阻，有助于進一步提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

IXTQ180N055T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
180A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5800pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3P
包裝
管件

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