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IXTQ160N10T

更新時間:2025-06-06 08:40:18

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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IXTQ160N10T外觀圖

IXTQ160N10T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

IXTQ160N10T 概述

IXTQ160N10T是IXYS公司生產的一款N溝道功率MOSFET。它采用TO-264封裝，適用于高電流和高壓應用場合。這款MOSFET具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為0.018歐姆，有助于減少導通損耗。該產品主要應用于開關電源、電機驅動、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及各種需要高效電力轉換的工業(yè)設備中。在電機驅動電路里，它可以作為H橋或半橋電路的關鍵開關元件使用。設計時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計良好，防止過熱損壞。對于高頻應用，需特別關注其寄生電容的影響，適當調整電路參數(shù)來提高整體效率。

IXTQ160N10T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
160A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
132nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6600pF @ 25V
功率 - 最大
430W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3P
包裝
管件

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