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IXTQ130N10T

更新時間:2025-06-14 15:40:44

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IXTQ130N10T外觀圖

IXTQ130N10T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

IXTQ130N10T 概述

IXTQ130N10T是來自IXYS公司的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高效能應用設計，具備低導通電阻和高電流承載能力。其最大漏極電流可達130A，適用于各類電源管理、電機驅動及直流-直流轉換器等場景。在不間斷電源（UPS）、逆變器以及工業(yè)自動化設備中表現(xiàn)優(yōu)異。使用時應注意合理布局以減少寄生電感，并確保散熱設計良好，防止過熱損壞。典型電路應用包括H橋和半橋拓撲結構，在電機驅動電路中可直接替換舊型號以提升效率。根據(jù)最新數(shù)據(jù)手冊，推薦柵極驅動電壓為10V以獲得最佳性能。

IXTQ130N10T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
130A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.1 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
104nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5080pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3P
包裝
管件

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