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IXTP48P05T

更新時間:2025-05-29 02:18:42

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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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IXTP48P05T 概述

IXTP48P05T是IXYS公司生產(chǎn)的一款功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用?；A(chǔ)描述方面，其最大漏源電壓為55V，連續(xù)漏極電流可達48A，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，典型導通電阻僅為7.3毫歐姆。此款MOSFET廣泛應用于電源管理、電機控制、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及不間斷電源系統(tǒng)等場景。在實際使用中，由于其較低的導通損耗，有助于提高整體電路效率。建議在設(shè)計PCB布局時，盡量減小源極引腳的長度以降低寄生電感，并確保良好的散熱措施以維持器件穩(wěn)定工作。對于高頻應用，需關(guān)注柵極電阻的選擇以優(yōu)化開關(guān)速度與EMI性能。

IXTP48P05T 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
50現(xiàn)貨
系列
TrenchP?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
50 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
48A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
30 毫歐 @ 24A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3660 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220-3
封裝/外殼
TO-220-3

視頻廣告作為自主零售終端的“能量心臟”，HVP6-24S12始終穩(wěn)供不宕機！

廣東微爾科技有限公司

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IXTP48P05T
IXTP01N100D
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IRFZ44N

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