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IXTP3N60P

更新時間:2025-05-22 18:31:21

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IXTP3N60P外觀圖

IXTP3N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 3A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP3N60P 概述

IXTP3N60P是IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET，適用于高性能開關應用。它具有600V的漏源電壓（VDSS）和高達12A的連續(xù)漏極電流（ID）。該MOSFET采用TO-220封裝，便于散熱管理和安裝。其低導通電阻（RDS(on)）特性有助于減少導通損耗，提高整體效率。這款MOSFET常用于電源轉換器、不間斷電源（UPS）、電機驅動和高頻DC-DC轉換器等應用中。在設計電路時，需要注意柵極驅動電壓的選擇，以確保MOSFET完全開啟和關閉。此外，在高頻率應用中，應考慮其輸入電容和柵極電阻對開關速度的影響。合理布局PCB走線，并盡量減小寄生電感，可以進一步優(yōu)化性能。

IXTP3N60P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.9 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
411pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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IXTP08N50D2
IXTP10P15T
IRF540

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