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IXTP2N100

更新時間:2025-05-25 02:22:15

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IXTP2N100外觀圖

IXTP2N100

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IXTP2N100 概述

IXTP2N100是IXYS公司生產的一款高壓MOSFET。該器件具有非常低的導通電阻和快速開關特性，額定電壓為1000V，適用于需要高耐壓和高效能的功率管理應用。其優(yōu)化的設計使得它在高頻開關電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅動和照明控制等場合表現出色。在電路設計中，建議合理布局以減少寄生電感對開關性能的影響，并確保良好的散熱設計以維持穩(wěn)定工作溫度。使用時注意柵極驅動電路的設計，以保證MOSFET能夠完全開通與關斷，避免不必要的功率損耗。

IXTP2N100 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
825pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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