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IXTP20N65X

更新時間:2025-05-30 09:05:56

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IXTP20N65X 概述

IXTP20N65X是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET，適用于高壓應用場合。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，能夠有效降低能量損耗。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達20A，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及照明系統(tǒng)等。在電路設計中，建議采用適當?shù)臇艠O驅動電阻來優(yōu)化開關速度，并確保散熱措施得當以維持長期可靠性。對于高頻率應用，需特別關注PCB布局以減少寄生電感影響。此款MOSFET因其優(yōu)異的電氣性能，非常適合要求嚴格的工業(yè)級電源轉換設備使用。

IXTP20N65X 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨1,400Factory查看交期
系列
Ultra X
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
210 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1390 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
320W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220-3
封裝/外殼
TO-220-3

視頻廣告作為自主零售終端的“能量心臟”，HVP6-24S12始終穩(wěn)供不宕機！

廣東微爾科技有限公司

IXTP20N65X推薦型號

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IXTP01N100D
IXTP06N120P
IXTP08N100D2
IXTP08N120P
IXTP08N50D2
IXTP10P15T
IXTP10P50P
IR2184S

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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