IXTP14N60X2是由IXYS公司生產(chǎn)的高壓功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達14A，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。這款MOSFET廣泛應用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機驅(qū)動以及照明系統(tǒng)等需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)電阻以控制開關(guān)速度，并在源極與柵極之間并聯(lián)一個齊納二極管來防止過壓損壞。設(shè)計時應注意PCB布局，盡量縮短源極引線長度以減少寄生電感影響，提高整體電路效率。

IXTP14N60X2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
126現(xiàn)貨2,150Factory
系列
Ultra X2
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
14A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
250 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
16.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
740 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
180W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

芯知識

2.1萬

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廣東微爾科技有限公司

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IXTP14N60X2

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