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IXTH88N30P

更新時間:2025-05-17 09:04:56

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IXTH88N30P外觀圖

IXTH88N30P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 300V 88A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH88N30P 概述

IXTH88N30P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓（Vds）為300V，連續(xù)漏極電流（Id）可達88A，特別適合工業(yè)逆變器、不間斷電源（UPS）、開關(guān)模式電源（SMPS）等需要高壓大電流開關(guān)的應(yīng)用場景。在實際應(yīng)用中，建議確保柵極驅(qū)動電路設(shè)計合理以實現(xiàn)快速開關(guān)切換，并注意散熱設(shè)計以保證器件長期穩(wěn)定工作。對于高頻開關(guān)應(yīng)用，需優(yōu)化PCB布局減少寄生電感影響。在并聯(lián)使用時要注意均流措施，避免因電流分配不均導(dǎo)致器件過熱損壞。

IXTH88N30P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHT™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
88A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 44A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
180nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6300pF @ 25V
功率 - 最大
600W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247
包裝
管件

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IXTH88N30P
IXTH02N250
IXTH03N400
IXTH102N20T
IXTH10N100D2
IXTH10N60
IXTH10N80A
IRF840

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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