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IXTB30N100L

更新時間:2025-05-15 20:39:27

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IXTB30N100L外觀圖

IXTB30N100L

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

封裝:TO-264-3，TO-264AA

IXTB30N100L 概述

IXTB30N100L是由IXYS公司生產(chǎn)的高性能N溝道MOSFET。該器件專為高電壓應用設計，最大漏源電壓可達1000V，連續(xù)漏極電流為30A，適用于需要高效能開關(guān)元件的電源管理電路中。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各類工業(yè)控制設備。在實際應用中，建議確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的電壓以充分開啟MOSFET，通常需要至少+15V的柵極電壓來實現(xiàn)最低導通電阻。此外，在高頻應用場合下，需特別關(guān)注MOSFET的開關(guān)損耗與熱管理，合理設計散熱系統(tǒng)，以保證器件長期穩(wěn)定工作。對于并聯(lián)使用的情況，應考慮均流措施以避免局部過熱。

IXTB30N100L 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
25
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫歐 @ 500mA，20V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
545nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
13200pF @ 25V
功率 - 最大
800W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商設備封裝
PLUS264?
包裝
管件

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