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IXST40N60B

更新時間:2025-07-08 14:13:36

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IXST40N60B

IXYS IGBT - 單路

IGBT 600V 75A SCSOA TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXST40N60B 概述

IXST40N60B是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用了先進的Trench-FET技術，具備低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達40A，適合于高壓大電流的應用場景。這款MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動器以及各種開關模式電源（SMPS）中。在電路設計時，推薦使用適當?shù)臇艠O電阻來控制開關速度，以減少電磁干擾（EMI）。同時，為了確保最佳的熱性能，建議采用有效的散熱措施，如安裝散熱片或利用PCB銅箔作為散熱路徑。注意保持柵極電壓在規(guī)定范圍內，避免過壓損壞柵極氧化層。

IXST40N60B 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.2V @ 15V，40A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
75A
功率 - 最大
280W
輸入類型
標準型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝
TO-268
包裝
管件

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