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IXSH24N60AU1

更新時間:2025-06-18 22:41:30

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IXSH24N60AU1外觀圖

IXSH24N60AU1

IXYS IGBT - 單路

IGBT 48A 600V TO-247

封裝:TO-247-3

IXSH24N60AU1 概述

IXSH24N60AU1是由Infineon Technologies生產(chǎn)的高性能功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，適用于高電壓和大電流應用。它具有較低的導通電阻和柵極電荷，能夠有效降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅動以及各種工業(yè)電源轉換設備。其耐壓能力達到600V，連續(xù)漏極電流可達24A，使其成為高壓開關電源的理想選擇。在實際應用中，建議搭配適當?shù)纳岽胧┮源_保穩(wěn)定工作，并且在PCB布局時應盡量減小寄生電感的影響，避免產(chǎn)生過沖電壓損壞器件。此外，在高頻應用場合需特別注意柵極電阻的選擇以優(yōu)化開關速度與EMI性能。

IXSH24N60AU1 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
HiPerFAST™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.7V @ 15V，24A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
48A
功率 - 最大
150W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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