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IXGH72N60A3

更新時間:2025-06-17 16:11:29

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IXGH72N60A3外觀圖

IXGH72N60A3

IXYS IGBT - 單路

IGBT 600V TO-247

封裝:TO-247-3

IXGH72N60A3 概述

IXGH72N60A3是由IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的Trench MOS技術，具有低導通電阻和高開關速度特性。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達72A，適用于需要高效電力轉換和控制的應用場景。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關電源、電機驅動以及各種工業(yè)控制設備中的功率轉換模塊。由于其優(yōu)越的電氣性能，這款MOSFET特別適合用于對效率要求較高的高頻電路設計中。在實際應用時，建議仔細考慮散熱設計以充分發(fā)揮其性能，并確保工作條件不超過最大額定值，以保障系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。此外，在PCB布局時應注意減少寄生電感和電容的影響，以優(yōu)化開關性能。

IXGH72N60A3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.35V @ 15V，60A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
75A
功率 - 最大
540W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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IXGH10N300
IXGH10N60
IRF540NPBF

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