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IXGH60N60

更新時間:2025-05-31 23:41:22

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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IXGH60N60外觀圖

IXGH60N60

IXYS IGBT - 單路

TRANSISTOR IGBT N-CHAN 600V 75A

封裝:TO-247-3

IXGH60N60 概述

IXGH60N60是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達60A，適用于高功率密度設計。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅動以及各種工業(yè)電源轉換設備。在這些應用中，它能夠有效降低系統(tǒng)損耗，提高整體效率。使用時應注意柵極驅動電路的設計，確保足夠的驅動能力以實現(xiàn)最佳開關性能。推薦采用低電感布局，并注意散熱設計，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。對于高可靠性應用，建議遵循制造商提供的應用指南進行電路設計和元件選型。

IXGH60N60 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.7V @ 15V，60A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
75A
功率 - 最大
300W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
散裝
其它名稱
Q2124563A

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