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IXGH32N60B

更新時間:2025-06-12 00:31:16

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IXGH32N60B外觀圖

IXGH32N60B

IXYS IGBT - 單路

IGBT HIPERFAST 600V 60A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXGH32N60B 概述

IXGH32N60B是由IXYS公司生產的一款高壓MOSFET。該器件設計用于高電壓和高功率應用，最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達32A。其低導通電阻（Rds(on)）特性有助于減少功耗并提高效率。典型的應用場景包括開關電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅動以及工業(yè)變頻器等。在實際應用中，建議在柵極與源極之間添加一個10-20Ω的電阻以防止寄生振蕩。同時，在電路設計時需注意散熱管理，推薦使用足夠的散熱器來確保穩(wěn)定工作。對于驅動電路的設計，選擇合適的柵極驅動芯片可以有效提升整體性能。由于其較高的擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定性，IXGH32N60B非常適合需要高可靠性的電力電子設備。

IXGH32N60B 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
HiPerFAST™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.5V @ 15V，32A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
60A
功率 - 最大
200W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
散裝

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