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IXGH30N120B3D1

更新時間:2025-05-20 00:02:23

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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IXGH30N120B3D1外觀圖

IXGH30N120B3D1

IXYS IGBT - 單路

IGBT PT 1200V 30A W/DIO TO247AD

封裝:TO-247-3

IXGH30N120B3D1 概述

IXGH30N120B3D1是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓為1200V，連續(xù)漏極電流可達30A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。這款MOSFET常用于工業(yè)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）系統(tǒng)以及各種需要高壓大電流處理能力的應用中。在實際應用中建議使用適當?shù)纳岽胧┮源_保最佳工作溫度。電路設計時應注意柵極驅(qū)動電路的設計，以充分發(fā)揮其高速開關特性，減少開關損耗。同時要保證足夠的柵極驅(qū)動電壓，防止器件工作在非飽和區(qū)導致發(fā)熱增加。

IXGH30N120B3D1 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3.5V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
30A
功率 - 最大
300W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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