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IXGH16N170

更新時間:2025-05-20 20:07:16

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IXGH16N170外觀圖

IXGH16N170

IXYS IGBT - 單路

IGBT 1700V 32A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXGH16N170 概述

IXGH16N170是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具備低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓為1700V，連續(xù)漏極電流可達16A，適合于高壓高功率的應用環(huán)境。此款MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器以及電機驅動等領域。在實際應用中，建議充分考慮散熱設計以確保器件的長期可靠性。對于電路設計，需合理選擇柵極電阻值來優(yōu)化開關速度與EMI性能之間的平衡。此外，在PCB布局時應盡量減小源極電感，有助于降低開關損耗并提升整體效率。使用時還需注意遵循制造商提供的安全操作指南，避免超出額定參數(shù)范圍工作。

IXGH16N170 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1700V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3.5V @ 15V，16A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
32A
功率 - 最大
190W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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IRFP460

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