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IXGH15N120B

更新時間:2025-05-26 16:23:18

供應商
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IXGH15N120B外觀圖

IXGH15N120B

IXYS IGBT - 單路

IGBT 30A 1200V TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXGH15N120B 概述

IXGH15N120B是IXYS公司生產的一款高性能高壓MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具備低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓Vds為1200V，連續(xù)漏極電流Id為15A，特別適合用于高壓電源、電機驅動及工業(yè)逆變器等需要高耐壓和大電流能力的場合。在具體應用中，此款MOSFET可作為主開關管使用于各類功率變換電路中，如DC-DC轉換器、AC-DC整流器等。設計時應注意其散熱要求，推薦采用適當的散熱器或冷卻方案以確保穩(wěn)定工作。此外，在PCB布局上要盡量減小柵極回路電感，以避免產生振蕩并降低開關損耗。對于驅動電路的設計，建議選用合適的驅動芯片以提供足夠大的峰值電流，保證MOSFET能夠快速開通與關斷。

IXGH15N120B 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
HiPerFAST™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3.2V @ 15V，15A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
30A
功率 - 最大
180W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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IXGH15N120B2D1
IXGH15N120BD1
IXGH10N100
IXGH10N100A
IXGH10N100AU1
IXGH10N170
IP4220CZ6

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