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IXFX66N85X

更新時間:2025-05-17 07:52:01

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IXFX66N85X 概述

IXFX66N85X是由IXYS公司生產的一款功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏極-源極電壓（Vds）可達850V，連續(xù)漏極電流（Id）為66A，在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能穩(wěn)定性。這款MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、電機驅動、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)以及太陽能逆變器等領域。在具體應用中，建議關注其散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內。對于高壓應用場合，需注意柵極驅動電路的設計，保證足夠的驅動能力以實現最佳開關性能。同時，應遵循制造商推薦的PCB布局指南，減少寄生電感和電容的影響，提高整體電路的可靠性。

IXFX66N85X 規(guī)格參數

現有數量
0現貨查看交期
系列
HiPerFET?, Ultra X
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
850 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
66A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
65 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 8mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PLUS247?-3
封裝/外殼
TO-247-3 變式

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廣東微爾科技有限公司

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