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IXFX34N80

更新時間:2025-05-23 15:45:39

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IXFX34N80外觀圖

IXFX34N80

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247

封裝:TO-247-3

IXFX34N80 概述

IXFX34N80是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款器件采用N溝道設計，具有800V的漏源電壓（VDSS）和34A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻特性有助于減少開關損耗，在高頻開關應用中表現(xiàn)出色。該器件適用于交流/直流電源轉換器、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及工業(yè)逆變器等場景。在實際應用中，建議確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以充分開啟MOSFET。在設計PCB布局時，盡量減小源極引腳的電感，以防止開關瞬間產(chǎn)生過高的電壓尖峰。此外，為了提高系統(tǒng)的可靠性，可以在MOSFET的柵極和源極之間并聯(lián)一個適當值的小電容來抑制噪聲干擾。

IXFX34N80 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
34A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫歐 @ 17A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
270nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7500pF @ 25V
功率 - 最大
560W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

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IRF9540N

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