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IXFT140N10P

更新時間:2025-05-17 05:56:03

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IXFT140N10P外觀圖

IXFT140N10P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXFT140N10P 概述

IXFT140N10P是IXYS公司生產(chǎn)的一款功率MOSFET。這款器件專為高效能應(yīng)用設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于電源管理、電機驅(qū)動以及工業(yè)自動化等領(lǐng)域。它能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，最大漏源電壓可達100V。該MOSFET適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、不間斷電源系統(tǒng)等。在實際應(yīng)用中，建議關(guān)注其散熱設(shè)計以確保最佳性能，同時注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，保證足夠的驅(qū)動電壓來實現(xiàn)最低的導(dǎo)通損耗。對于高頻應(yīng)用場合，還需要優(yōu)化寄生電感以減少開關(guān)損耗。

IXFT140N10P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
140A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫歐 @ 70A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
155nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4700pF @ 25V
功率 - 最大
600W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-268
包裝
管件

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IR2136S

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