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IXFR58N20

更新時間:2025-05-29 02:15:18

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IXFR58N20 概述

IXFR58N20是英飛凌（Infineon）公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為200V，連續(xù)漏極電流能力達到58A，在高效電源轉換器、不間斷電源（UPS）、電機驅動和DC-DC轉換器等工業(yè)及消費類電子設備中表現(xiàn)優(yōu)異。在實際應用中，推薦使用該MOSFET作為開關元件構建同步整流電路，以提高效率并減少損耗。設計時應注意柵極驅動電壓的選擇，確保在全溫度范圍內能夠可靠地開啟和關閉MOSFET。此外，適當?shù)纳岽胧┮彩潜ＷC其長期穩(wěn)定工作的關鍵，建議根據(jù)具體工作條件選擇合適的散熱器或散熱片。

IXFR58N20 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
HiPerFET?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
40 毫歐 @ 29A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 4mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
ISOPLUS247?
封裝/外殼
TO-247-3

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廣東微爾科技有限公司

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