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IXFR36N60P

更新時間:2025-05-31 04:01:35

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IXFR36N60P外觀圖

IXFR36N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

封裝:ISOPLUS247?

IXFR36N60P 概述

IXFR36N60P是IXYS公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達36A，適用于工業(yè)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅動器以及焊接設備等高功率應用場景。在具體應用中，推薦使用適當的柵極電阻來控制開關速度，避免過高dv/dt導致的誤觸發(fā)。對于需要并聯多個MOSFET的應用，應確保每個元件的溫度分布均勻，并采取必要的散熱措施。設計時需特別注意PCB布局以減少寄生電感對開關性能的影響。此外，在高溫環(huán)境下工作時，應根據數據手冊中的溫度系數調整最大工作電流，確保器件安全運行。

IXFR36N60P 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 18A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
102nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5800pF @ 25V
功率 - 最大
208W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
ISOPLUS247?
供應商設備封裝
ISOPLUS247?
包裝
管件

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