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IXFP3N80

更新時間:2025-06-10 04:40:23

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IXFP3N80

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220

封裝:TO-220-3

IXFP3N80 概述

IXFP3N80是IXYS公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為800V，連續(xù)漏極電流（Id）可達3A，非常適合用于開關電源、逆變器和其他電力轉換設備。在應用場景中，IXFP3N80常被用作高壓側或低壓側開關，特別是在需要高效率和緊湊設計的場合。例如，在DC-DC轉換器和交流電機驅動中，它可以有效降低功耗并提高系統(tǒng)整體效率。使用時應注意適當的散熱設計，以確保器件在額定工作條件下穩(wěn)定運行。此外，建議參考IXYS提供的應用指南進行電路布局和元件選擇，以優(yōu)化性能并避免潛在問題。

IXFP3N80 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.6 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
685pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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