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IXFP24N60X

更新時間:2025-06-10 03:31:53

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深圳市誠研翔科技有限公司
IXFP24N60X
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IXFP24N60X 概述

IXFP24N60X是由IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用N溝道設計，具有600V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻（RDS(on)）特性有助于減少導通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于高頻開關電源、電機驅動和其他工業(yè)應用。在具體應用場景中，IXFP24N60X常用于DC-DC轉換器、逆變器和電池管理系統(tǒng)等需要高效能量轉換的場合。由于其快速開關速度和低開關損耗，特別適合于對效率要求較高的設計。使用時應注意適當的散熱設計，以確保器件工作溫度處于安全范圍內，并根據實際電路需求選擇合適的柵極驅動電阻值，優(yōu)化開關性能。此外，在布局PCB時應盡量減小寄生電感，避免影響器件的開關特性。

IXFP24N60X 規(guī)格參數

現有數量
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系列
HiPerFET?, Ultra X
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
175 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1910 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220-3
封裝/外殼
TO-220-3

芯知識

2.1萬

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廣東微爾科技有限公司

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