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IXFP20N50P3

更新時間:2025-05-24 12:06:32

供應(yīng)商
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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MOSFET單管,原裝和國產(chǎn)替代

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IXFP20N50P3 概述

IXFP20N50P3是由IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的Trench技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用。其最大漏源電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達20A，非常適合用于高壓、高效率的電源轉(zhuǎn)換電路中。典型應(yīng)用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅(qū)動以及各種工業(yè)電源系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中，它能夠有效提高系統(tǒng)的整體效率并減少熱量產(chǎn)生。設(shè)計時應(yīng)注意適當?shù)纳峁芾恚⒋_保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的驅(qū)動電壓以保證最佳性能。在實際電路設(shè)計中，建議使用推薦的柵極電阻值來優(yōu)化開關(guān)速度和EMI性能。

IXFP20N50P3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
32現(xiàn)貨1,100Factory
系列
HiPerFET?, Polar3?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
300 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
380W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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IXFP110N15T2
IXFP130N10T2
IXFP14N60P
IXFP14N60P3
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IXFP3N120
IR2104S

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