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IXFP130N10T

更新時間:2025-05-24 06:43:50

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
IXFP130N10T
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深圳市科翼源電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨

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中科航電（深圳）電子集團有限
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上海熠富電子科技有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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22100
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昆山隆誠翔電子有限公司
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原廠授權代理商主營IGBT模塊可控硅模塊二極管晶

柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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芯德微聯(lián)（深圳）電子有限公司
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務

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IXFP130N10T外觀圖

IXFP130N10T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 100V 130A TO-220

封裝:TO-220-3

IXFP130N10T 概述

IXFP130N10T是IXYS公司生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝，具有低導通電阻和高電流承載能力的特點。它在10V柵源電壓下的典型導通電阻為0.018歐姆，最大連續(xù)漏極電流可達130A。這種MOSFET適用于高效電源轉換應用，如開關電源、不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器和電機驅動控制等場景。在實際應用中，為了確保最佳性能，建議將柵極驅動電壓設置為10V以降低導通損耗。由于其大電流特性，在PCB布局時需特別注意散熱設計，保證足夠的銅箔面積和良好的通風環(huán)境。同時要關注并聯(lián)使用時的均流問題，避免單個器件過載損壞。

IXFP130N10T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
130A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.1 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
104nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5080pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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