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IXFK32N100X

更新時間:2025-05-19 06:08:59

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IXFK32N100X 概述

IXFK32N100X是一款由IXYS公司生產(chǎn)的高壓功率MOSFET。該器件具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高電壓和大電流應用場合。其最大漏源電壓（Vds）可達1000V，連續(xù)漏極電流（Id）為32A，在高溫條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。該MOSFET常用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動以及高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。在實際應用中，建議使用適當?shù)纳岽胧┮源_保器件可靠運行。對于電路設計，需注意柵極驅(qū)動電路的設計，保證足夠的驅(qū)動電壓和上升下降時間，以實現(xiàn)最佳開關(guān)性能并減少損耗。此外，布局時應盡量減小寄生電感，避免產(chǎn)生電壓尖峰影響MOSFET壽命。

IXFK32N100X 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
6現(xiàn)貨
系列
HiPerFET?, Ultra X
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
32A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
220 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
6V @ 4mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4075 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
890W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-264
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA

芯知識

2.1萬

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廣東微爾科技有限公司

IXFK32N100X推薦型號

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