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IXFK120N30P3

更新時間:2025-07-06 11:59:17

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IXFK120N30P3 規(guī)格參數

現有數量
27現貨
系列
HiPerFET?, Polar3?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
300 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
27 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 4mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8630 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1130W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA

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