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IXFH40N30

更新時間:2025-05-16 04:32:48

供應(yīng)商
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IXFH40N30外觀圖

IXFH40N30

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXFH40N30 概述

IXFH40N30是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET。該器件專為高功率和高頻率應(yīng)用設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓（Vds）可達300V，連續(xù)漏極電流（Id）可達40A，適用于工業(yè)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）及高頻逆變器等場景。在實際應(yīng)用中，此MOSFET常用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的電路中。例如，在DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)管使用時，能有效降低損耗并提高效率。由于其較高的擊穿電壓和大電流能力，也適合于高壓側(cè)驅(qū)動電路。設(shè)計時應(yīng)注意合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保良好的散熱措施，避免過熱損壞。

IXFH40N30 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
40A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
200nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4800pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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IRF540NPBF

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